Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou

Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou (iné názvy: poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným oxidovou vrstvou, poľom riadený tranzistor s oxidom izolovaným hradlom, tranzistor MOSFET, skr. MOSFET alebo MOS-FET alebo MOS FET z angl. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) je druh tranzistora riadeného poľom (FET), ktorého hradlo realizované vrstvou kovu je oddelené od polovodiča dielektrickou vrstvou oxidu daného polovodiča.

Schéma NMOS tranzistora

Keďže na jeho prípravu je potrebná dokonalá a veľmi tenká oxidová vrstva s malým počtom nežiaducich porúch na rozhraní polovodiča a kovu, MOSFET tranzistory sa v praxi pripravujú výhradne z kremíka, ktorý je jediným polovodičom, na ktorom je možné pripraviť oxid požadovaných vlastností.

Podľa typu vodivosti hradla delíme MOSFET na PMOS a NMOS. Vhodnou prípravou substrátu je možné získať v oboch polaritách FET tranzistory obohacovacieho aj ochudobňovacieho typu.

Kombináciou obidvoch typov tranzistorov v integrovaných obvodoch získame štruktúru CMOS, ktorá je základom takmer všetkých moderných digitálnych integrovaných obvodov.

MOS

MOS (z angl. Metal Oxide Semiconductor) je technológia výroby polovodičových súčiastok.

Iné projekty

Commons

• Commons ponúka multimediálne súbory na tému MOS(FET)