Verzia z 17:54, 17. jún 2007 upraviť IW-BOT (diskusia \| príspevky) Boti 83 783 editací d robot Zmenil: de:Erasable Programmable Read Only Memory ← Predchádzajúca úprava		Verzia z 22:03, 20. jún 2007 upraviť vrátiť Robzle (diskusia \| príspevky) 22 502 editací d typografia Ďalšia úprava →
Riadok 3: == Princíp == Princíp pamäte spočíva v [[elektrický náboj\|elektrickom náboji]] zachytenom v izolovanom („plávajúcom“) ~~hradla~~hradle pamäťového [[MOS]] tranzistora. Náboj sa do hradla dostane [[tunelový jav\|tunelovaním]] cez mimoriadne tenký oxid [[kremík]]a pri pripojení väčšieho než bežne používaného [[napätie\|napätia]] medzi source a zapojené hradlo (gate) tranzistora. Proces je nevratný a na vyprázdnenie plávajúceho hradla je potrebné použiť [[ionizujúce žiarenie]] ([[ultrafialové svetlo]]). Aby bolo možné čip osvetliť UV svetlom, v puzdre je nad priestorom čipu zabudované okienko z [[kremeň\|kremičitého]] [[sklo\|skla]], a kvôli tepelnej rozťažnosti okienka je aj samotné puzdro [[keramika\|keramické]]. Niekedy sa EPROM púzdria do podstatne lacnejších bežných plastových puzdier a nie je možné ich vymazať, sú teda určené na jednorazové naprogramovanie (tzv. OTP EPROM - One Time Programmable EPROM). Riadok 12: == Použitie == Pamäte EPROM boli vyvinuté firmou [[Intel]] počiatkom sedemdesiatych rokov a vďaka ich opakovateľnej preprogramovateľnosti pri uchovaní obsahu a okamžitej pripravenosti po zapnutí sa stali nenahraditeľné ako pamäť programu počítačov (neskôr len pamäť pre zavádzací program - [[BIOS]]., dnes sú obvykle nahradené [[FLASH]]). Podobne boli EPROM používané ako programová pamäť [[mikrokontrolér]]ov (až po príchod [[EEPROM]]/[[FLASH]]). Mikrokontroléry s takouto pamäťou boli puzdrené podobne ako samostatné pamäte do keramických puzdier s okienkom pre vývojové účely, a pre produkciu vo forme OTP do lacných plastových puzdier.

EPROM: Rozdiel medzi revíziami