Tranzistor (polovodičová súčiastka): Rozdiel medzi revíziami

predlzenie
(skratenie)
(predlzenie)
 
== Pôvod mena ==
V [[Bellove laboratóriá|Bellových laboratóriách]] skúšali nájsť vhodné meno pre novoobjavenú súčiastku. Skúšali mená ako "polovodičová [[trióda]]", "pevná [[trióda]]", "kryštalická [[trióda]]" alebo "iotatrón", ale napokon sa ujal názov "tranzistor", navrhnutý [[John R. Pierce]]om. Tranzistor je skratka zo slov "transconductance" alebo "transfer" (z angl. ''prenos''), a "[[rezistor|resistor]]".
 
[[Obrázok:Transistors.agr.jpg|300px|right|thumb|Tranzistory]]
[[Obrázok:Transistorer.jpg|right|thumb|Tranzistory]]
[[Obrázok:Transistor-photo.JPG|right|thumb|300px|Ukážka rôznych typov tranzistorov]]
 
'''Tranzistor''' je [[polovodič]]ová súčiastka, používaná ako [[zosilňovač]], [[spínač]], [[stabilizátor]] a [[modulátor]] [[elektrické napätie|elektrického napätia]] alebo [[elektrický prúd|prúdu]].
 
== Dejiny ==
Prvý zaznamenaný objav tranzistora je datovaný v roku [[1947]] a pochádza z [[Bellove laboratóriá|Bellových laboratórií]] v [[Spojené štáty|USA]]. Za tento objav dostali jeho autori [[John Bardeen]], [[Walter Houser Brattain]] a [[William Bradford Shockley]] v roku [[1956]] [[Nobelova cena za fyziku|Nobelovu cenu za fyziku]]. Avšak prvé pokusy, pri ktorých [[Julius Edgar Lilienfeld]] náhodou spozoroval zosilnenie [[elektrický prúd|prúdu]] pri vhodnom kontakte rôznych [[kov]]ov (základ dnešného [[unipolárny tranzistor|unipolárneho tranzistora]]) sa udiali už v [[rok]]u [[1925]]. V roku 1930 si dal doktor Lilienfeld patentovať svoj koncept elektronickej súčiastky s použitím Al/Al2O3/Cu2S. Dnes ju poznáme pod pojmom „elektrickým poľom riadený tranzistor“. Prvý unipolárny tranzistor bol vyrobený až v roku 1960 po objavení MOS (metal-oxide-semiconductor) štruktúry v roku 1958. Bol zhotovený na kremíku s využitím izolačnej vrstvy z SiO<sub>2</sub>. Pri dnešných technológiách nie je prekvapením integrácia na úrovni ~10<sup>8</sup> tranzistorov na jednom čipe. Môžeme konštatovať, že od začiatku éry IO malej hustoty integrácie až do súčasnosti sa toto zmenšovanie „riadi“ Mooreovým zákonom, ktorý hovorí o dvojnásobnom zväčšení výkonu a až štvornásobnom zmenšení rozmerov integrovaných obvodov každé dva roky. V roku 2013 by mohli byť pri zachovaní súčasného trendu vyhotovené tranzistory s dĺžkou hradla len 13 nm, čo by napr. umožňovalo v jednej pamäti DRAM uchovať až 16 tera bitov.
 
== Použitie ==
Anonymný používateľ