Tranzistor (polovodičová súčiastka): Rozdiel medzi revíziami

Prvý zaznamenaný objav tranzistora je datovaný v roku [[1947]] a pochádza z [[Bellove laboratóriá|Bellových laboratórií]] v [[Spojené štáty|USA]]. Za tento objav dostali jeho autori [[John Bardeen]], [[Walter Houser Brattain]] a [[William Bradford Shockley]] v roku [[1956]] [[Nobelova cena za fyziku|Nobelovu cenu za fyziku]]. Avšak prvé pokusy, pri ktorých [[Julius Edgar Lilienfeld]] náhodou spozoroval zosilnenie [[elektrický prúd|prúdu]] pri vhodnom kontakte rôznych [[kov]]ov (základ dnešného [[unipolárny tranzistor|unipolárneho tranzistora]]) sa udiali už v [[rok]]u [[1925]]. V roku 1930 si dal doktor Lilienfeld patentovať svoj koncept elektronickej súčiastky s použitím Al/Al2O3/Cu2S. Dnes ju poznáme pod pojmom „elektrickým poľom riadený tranzistor“. Prvý unipolárny tranzistor bol vyrobený až v roku 1960 po objavení MOS (metal-oxide-semiconductor) štruktúry v roku 1958. Bol zhotovený na kremíku s využitím izolačnej vrstvy z SiO₂. Pri dnešných technológiách nie je prekvapením integrácia na úrovni ~10⁸ tranzistorov na jednom čipe. Môžeme konštatovať, že od začiatku éry IO malej hustoty integrácie až do súčasnosti sa toto zmenšovanie „riadi“ Mooreovým zákonom, ktorý hovorí o dvojnásobnom zväčšení výkonu a až štvornásobnom zmenšení rozmerov integrovaných obvodov každé dva roky. V roku 2013 by mohli byť pri zachovaní súčasného trendu vyhotovené tranzistory s dĺžkou hradla len 13 nm, čo by napr. umožňovalo v jednej pamäti DRAM uchovať až 16 tera bitov.

 

 

== Použitie ==