Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou: Rozdiel medzi revíziami
Smazaný obsah Přidaný obsah
d robot Pridal: he:טרנזיסטור MOSFET |
Bez shrnutí editace |
||
Riadok 1:
[[Súbor:360px-NMOS E OFF.svg.png|thumb|right|Schéma NMOS tranzistora]]
'''MOSFET''' (z [[angličtina|angl.]] ''metal oxide semiconductor field-effect transistor'') je druh [[tranzistor]]a riadeného poľom (FET), ktorého hradlo realizované vrstvou [[kov]]u je oddelené od [[polovodič]]a [[dielektrikum|dielektrickou vrstvou]] oxidu daného polovodiča.
Keďže na jeho prípravu je potrebná dokonalá a veľmi tenká oxidová vrstva s malým počtom nežiaducich porúch na rozhraní polovodiča a kovu, MOSFET tranzistory sa v praxi pripravujú výhradne z [[kremík]]a, ktorý je jediným polovodičom, na ktorom je možné pripraviť [[oxid kremičitý|oxid]] požadovaných vlastností.
Riadok 8:
Kombináciou obidvoch typov tranzistorov v [[integrovaný obvod|integrovaných obvodoch]] získame štruktúru [[CMOS]], ktorá je základom takmer všetkých moderných [[digitálna elektronika|digitálnych]] integrovaných obvodov.
== MOS ==
MOS (z {{V jazyku|eng|Metal Oxide Semiconductor}}) je technológia výroby [[polovodič]]ových súčiastok.
== Iné projekty ==
Řádek 14 ⟶ 17:
{{Elektrotechnický výhonok}}
[[Kategória:Elektrické súčiastky]]
[[ar:موسفت]]
| |||