Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou: Rozdiel medzi revíziami

'''MOSFET''' (z [[angličtina|angl.]] ''metal-oxide semiconductor field-effect transistor'') je druh [[tranzistor]]u riadeného poľom (FET), ktorého hradlo realizované vrstvou [[kov]]u je oddelené od [[polovodič]]a [[dielektrikum|dielektrickou vrstvou]] oxidu daného polovodiča.

Keďže na jeho prípravu je potrebná dokonalá a veľmi tenká oxidová vrstva s malým počtom nežiadúcichnežiaducich porúch na rozhraní polovodiča a kovu, MOSFET tranzistory sa v praxi pripravujú výhradne z [[kremík]]a, ktorý je jediným polovodičom, na ktorom je možné pripraviť [[oxid kremičitý|oxid]] požadovaných vlastností.