Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou: Rozdiel medzi revíziami
Smazaný obsah Přidaný obsah
dBez shrnutí editace |
dBez shrnutí editace |
||
Riadok 3:
Keďže na jeho prípravu je potrebná dokonalá a veľmi tenká oxidová vrstva s malým počtom nežiaducich porúch na rozhraní polovodiča a kovu, MOSFET tranzistory sa v praxi pripravujú výhradne z [[kremík]]a, ktorý je jediným polovodičom, na ktorom je možné pripraviť [[oxid kremičitý|oxid]] požadovaných vlastností.
Podľa typu vodivosti hradla delíme MOSFET na
Kombináciou obidvoch typov tranzistorov v [[integrovaný obvod|integrovaných obvodoch]] získame štruktúru [[CMOS]], ktorá je základom takmer všetkých moderných [[digitálna elektronika|digitálnych]] integrovaných obvodov.
|