Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou: Rozdiel medzi revíziami

Smazaný obsah Přidaný obsah
Bronto (diskusia | príspevky)
dBez shrnutí editace
Wek1 (diskusia | príspevky)
dBez shrnutí editace
Riadok 3:
Keďže na jeho prípravu je potrebná dokonalá a veľmi tenká oxidová vrstva s malým počtom nežiaducich porúch na rozhraní polovodiča a kovu, MOSFET tranzistory sa v praxi pripravujú výhradne z [[kremík]]a, ktorý je jediným polovodičom, na ktorom je možné pripraviť [[oxid kremičitý|oxid]] požadovaných vlastností.
 
Podľa typu vodivosti hradla delíme MOSFET na [[PFET]]PMOS a [[NFET]]NMOS. Vhodnou prípravou substrátu je možné získať v oboch polaritách FET tranzistory obohacovacieho aj ochudobňovacieho typu.
 
Kombináciou obidvoch typov tranzistorov v [[integrovaný obvod|integrovaných obvodoch]] získame štruktúru [[CMOS]], ktorá je základom takmer všetkých moderných [[digitálna elektronika|digitálnych]] integrovaných obvodov.