EPROM: Rozdiel medzi revíziami

Odobraný 1 bajt ,  pred 11 rokmi
d
Robot automaticky nahradil text: (-púzdr +puzdr)
d (robot Pridal: ro:EPROM)
d (Robot automaticky nahradil text: (-púzdr +puzdr))
Princíp pamäte spočíva v [[elektrický náboj|elektrickom náboji]] zachytenom v izolovanom („plávajúcom“) hradle pamäťového [[MOS]] tranzistora. Náboj sa do hradla dostane [[tunelový jav|tunelovaním]] cez mimoriadne tenký oxid [[kremík]]a pri pripojení väčšieho než bežne používaného [[napätie|napätia]] medzi source a zapojené hradlo (gate) tranzistora. Proces je nevratný a na vyprázdnenie plávajúceho hradla je potrebné použiť [[ionizujúce žiarenie]] ([[ultrafialové svetlo]]).
 
Aby bolo možné čip osvetliť UV svetlom, v puzdre je nad priestorom čipu zabudované okienko z [[kremeň|kremičitého]] [[sklo|skla]], a kvôli tepelnej rozťažnosti okienka je aj samotné puzdro [[keramika|keramické]]. Niekedy sa EPROM púzdriapuzdria do podstatne lacnejších bežných plastových puzdier a nie je možné ich vymazať, sú teda určené na jednorazové naprogramovanie (tzv. OTP EPROM - One Time Programmable EPROM).
 
Na zmenu obsahu EPROM je potrebné pamäť najprv vymazať v tzv. mazačke, ktorá osvetlí čip ultrafialovým svetlom po dobu 5 až 10 [[minúta|minút]], potom je obsah pamäte vymazaný a je možné ju v špecializovanom programátore preprogramovať (naplniť iným obsahom). Programuje sa naraz celé dátové slovo (obvykle 8 [[bit]]ov, zriedkavo 16 bitov), čo trvá typicky niekoľko [[milisekunda|milisekúnd]]. Staršie EPROM používali programovacie napätie okolo 21 V, novšie sú programované napätím okolo 12.5 V.
75 767

úprav