Flash pamäť: Rozdiel medzi revíziami
Smazaný obsah Přidaný obsah
d r2.5.2) (robot Pridal: et:Välkmälu Zmenil: lt:Atmintukas |
d Robot automaticky nahradil text: (-t.j. +t. j.) |
||
Riadok 11:
Technicky sa pamäťové bunky Flash pamäte realizujú ako ochudobňovací [[MOSFET|NMOS tranzistor]] s dvomi hradlami nad sebou - riadiace hradlo je na vrchu a druhé, tzv. plávajúce hradlo ([[Angličtina|angl.]] floating gate), ktoré je samotným nosičom informácie, je pod ním odizolované zdola aj zhora (aj zo všetkých strán). Pomocou horného hradla sa [[tunelový jav|tunelovým javom]] nainjekujú do dolného hradla [[elektrón]]y, ktoré tam ostanú uväznené - tie potom vytvárajú pole, ktoré ochudobňuje prechod.
Najjednoduhšie FLASH bunky poznajú len stav 1-0, t. j. prepúšťa neprepúšťa. Modernejšie bunky používajú viac úrovní náboja na plávajúcom hradle, čím sa dá uložiť naraz viac bitov, prípadne analógová hodnota, v jednej bunke.
Vybíjanie plávajúceho hradla (t. j. mazanie) prebieha tiež tunelovým javom.
{{počítačový výhonok}}
| |||