Tranzistor riadený poľom: Rozdiel medzi revíziami

Smazaný obsah Přidaný obsah
Bronto (diskusia | príspevky)
Bez shrnutí editace
Bronto (diskusia | príspevky)
Riadok 9:
**[[HEMT]]
*Tranzistor riadený poľom s izolovaným hradlom (IGFET, kde IG = insulated gate):
**Tranzistor riadený poľom s hradlovou dielektrickou vrstvou (=tranzistor ovládaný elektrickým poľom s hradlom oddeleným izolantom, poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným dieelektrickou vrstvou, skr. [[MISFET]], kde M=metal, I=insulator, S=semiconductor): Tranzistory tohto typu majú medzi hradlom a kanálom vytvorenú vrstvičku dielektrika. DelíDelia sa na:
***[[MOSFET]] (kde O=oxid) : t.j. s hradlom izolovaným oxidovou vrstvou)
***[[MNSFET]] (kde N=nitride) : t.j. s hradlom izolovaným nitridovou vrstvou)