Verzia z 16:57, 13. apríl 2006 upraviť Wek1 (diskusia \| príspevky) 1 763 editací d kat ← Predchádzajúca úprava		Verzia z 12:04, 2. jún 2006 upraviť vrátiť 194.160.227.36 (diskusia) Bez shrnutí editace Ďalšia úprava →
Riadok 1: '''EEPROM''' (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) je elektricky mazateľná pamäť [[ROM]]. Princíp činnosti je podobný ako u [[EPROM]] - pamäťovým prvkom je izolované (plávajúce) hradlo do ktorého sú nainjekované nosiče náboja cez izolačnú oxidovú vrstvu, oxid je tu však tenší a prenos náboja je šetrnejší a je možný v oboch smeroch. Napätia potrebné pre tento jav sú ~~vúčšinou~~väčšinou generované obvodmi integrovanými na čipe s pamäťou a navonok je pamäť programovaná pri bežnom napájacom napätí. Programovanie i mazanie trvá niekoľko milisekúnd, čítacie doby sú podobné ako u EPROM (cca 100ns). EEPROM znesú typicky 1E4 až 1E5 prepisov (mazacích a programovacích cyklov) a doba uchovania údajov býva pri bežných teplotách (t.j. do 80 st.C) zaručovaná na 10-20 rokov. EEPROM predstavuje najjednoduchšie riešenie permanentnej pamäte [[ROM]] s možnosťou príležitostných zmien. Možno do nej zapisovať činnosťou programu mikropočítača. Zápis vyžaduje čas rádovo milisekundy, kým čítanie rádovo nanosekendy, preto sa nemôže použiť ako pamäte [[RWM]]. Bývajú vyrobené technológiou [[CMOS]].

EEPROM: Rozdiel medzi revíziami