'''Monokryštál''' je makroskopický [[kryštál]] so zanedbateľnými poruchami kryštálovej štruktúry.
V [[polovodič]]ovej technike sa rozoznávajú dva typy monokryštálov:
V [[polovodič]]ovej technike hovoríme o tenkovrstvých monokryštáloch vyrábaných epitaxiou alebo o objemových monokryštáloch, ktoré sa vyrábaju najčastejšie ťahaním z kvapalnej fázy.
* ''objemové monokryštály'' - vyrábané najčastejšie ťahaním z kvapalnej fázy
Základnou podmienkou vzniku monokryštálu je riadenie premeny taveniny takým spôsobom, aby sa celá [[kryštalizácia]] uskutočnila z jedného zárodku. To dosiahnemesa dosahuje priložením rovinného povrchu zárodku nepatrne nižšej teploty než je rovnovážna teplota kryštalizácie, čo má za následok zníženie teploty kvapalnej fázy v okolí styčnej plochy, a tým splnenie termodynamickej podmienky rastu kryštálu. Rýchlosť rastu sleduje rýchlosť posuvu [[medzifázové rozhranie|medzifázového rozhrania]] a tá je zasa daná veľkosťou podchladenia.
Na splnenie podmienky vzniku kvalitného monokryštálu, ktorou je planárny rast, je nevyhnutné, aby nebolo podchladenie veľké. Z toho vyplýva, že bežnoubežná rýchlosťourýchlosť rastu kvalitného monokryštálu súje rádovo milimetre za hodinu. Na zabezpečenie toku tepla z kvapalnej fázy do kryštálu musí byť trvalo zabezpečený [[teplotný gradient]] na medzifázovom rozhraní, preto je nutné teplo riadeným spôsobom odvádzať. Je tiež nutné, aby sa vznikajúci kryštál posúval smerom od taveniny, alebo aby sa posúval teplotný gradient v opačnom smere. Kryštálová orientácia matečnéhomaterského zárodku priamo určuje orientáciu rastúceho [[kryštál]]u.
