Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou: Rozdiel medzi revíziami
Smazaný obsah Přidaný obsah
d Bot: Odstránenie 34 odkazov interwiki, ktoré sú teraz dostupné na Wikiúdajoch (d:q210793) |
|||
Riadok 1:
[[Súbor:
'''Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou''' (iné názvy: '''poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným oxidovou vrstvou, poľom riadený tranzistor s oxidom izolovaným hradlom, tranzistor MOSFET''', skr. ''MOSFET'' alebo ''MOS-FET'' alebo ''MOS FET'' z [[angličtina|angl.]] ''metal-oxide-semiconductor field-effect transistor'') je druh [[tranzistor]]a riadeného poľom (FET), ktorého hradlo realizované vrstvou [[kov]]u je oddelené od [[polovodič]]a [[dielektrikum|dielektrickou vrstvou]] oxidu daného polovodiča.
| |||
