Fotorezistor: Rozdiel medzi revíziami

Odobraných 2 236 bajtov ,  pred 1 rokom
Fotorezistor (hovorovo tiež fotoodpor) je pasívna elektronická súčiastka, druh polovodičového fotodetektora. Jeho elektrický odpor klesá s rastúcou intenzitou dopadajúceho svetla (elektrická vodivosť rastie).
d ((GR) File renamed: File:LDR.jpgFile:LDR07 Light-dependent CdS photoresistor.jpg Replace meaningless TLA with description of image.)
(Fotorezistor (hovorovo tiež fotoodpor) je pasívna elektronická súčiastka, druh polovodičového fotodetektora. Jeho elektrický odpor klesá s rastúcou intenzitou dopadajúceho svetla (elektrická vodivosť rastie).)
 
== Princíp ==
'''Fotorezistor''' (hovorovo tiež ''fotoodpor'') je ''pasívna'' [[elektronická súčiastka]], druh [[polovodič]]ového [[fotodetektor]]a. Jeho [[elektrický odpor]] klesá s rastúcou intenzitou dopadajúceho svetla ([[elektrická vodivosť]] rastie). [[Súbor:LDR07 Light-dependent CdS photoresistor.jpg|thumb|Fotorezistor bez puzdra]]
Princíp fotorezistoru je založený na vnútornom [[Fotoelektrický jav|fotoelektrickom jave]]: fotorezistor je vyrobený z [[polovodič]]a s vysokým elektrickým odporom. Ak [[fotón]] svetla dostatočne krátkej [[vlnová dĺžka|vlnovej dĺžky]] narazí do [[elektrón]]u vo [[valenčné pásmo|valenčnom pásme]] atómu, odovzdá mu svoju energiu. Elektrón tak získa dostatok energie na prekonanie [[zakázané pásmo|zakázaného pásma]] a preskočí z valenčného pásma do [[vodivostné pásmo|vodivostného]]. Tým opustí svoj atóm a pohybuje sa ako voľný elektrón v priestore kryštálovej mriežky. Na jeho mieste vznikla tzv. ''diera'' – voľné miesto s kladným [[elektrický náboj|nábojom]]. Takto vzniknuté voľné elektróny a diery vedú [[elektrický prúd]] a znižujú tak elektrický odpor osvetleného fotorezistoru.
 
== KonštrukciaVlastnosti cau martin h ==
[[Súbor:LDR07 Light-dependent CdS photoresistor.jpg|thumb|Fotorezistor bez puzdra]]
 
* arnú
Na polovodičovú základňu (najčastejšie [[Sulfid kademnatý]] – CdS, [[kremík]], [[germánium]]) sú z protiľahlých strán nanesené vrstvičky kovu v tvare hrabličiek, vodivo spojené s vývodmi fotorezistoru, tvoriace prechod kov – polovodič. Vplyvom osvetlenia sa mení [[elektrická vodivosť]] polovodiča medzi kovovými vrstvičkami. Na fotorezistor(napr. J13 Series Lead Sulfide Detectors) zvlášť citlivý v infračervenej oblasti(vlnová dĺžka: 1-3.5 µm), s dobrou chemickou stálosťou a rýchlou odozvou na zmenu osvetlenia sa používal sírnik olovnatý(PbS).
 
== Vlastnosti ==
Odpor fotorezistoru klesá v závislosti od intenzity osvetlenia približne [[Exponenciálna funkcia|exponenciálne]], do istej miery je ale možné túto závislosť [[linearizácia|linearizovať]].
 
V závislosti od použitého materiálu je možné fotorezistorom detegovať široké spektrum vlnových dĺžok – od [[Infračervené žiarenie|infračerveného žiarenia]], cez [[svetlo|viditeľné svetlo]] až po [[ultrafialové žiarenie]].
 
Výhody voči iným fotocitlivým súčiastkam:
* dostatočná citlivosť (bežný CdS fotorezistor má v tme odpor rádu jednotiek MΩ, pri plnom osvetlení klesne na rádovo stovky Ω)
* nízke výrobné náklady
* jednoduché použitie v el. obvodoch
* možnosť použitia v obvodoch [[jednosmerný prúd|jednosmerného]] aj [[striedavý prúd|striedavého]] prúdu
 
Nevýhody voči iným fotocitlivým súčiastkam:
* pomalá odozva na zmenu intenzity osvetlenia (nie je použiteľný napr. na prenos dát)
* veľká tepelná závislosť odporu
* fotorezistory v prevádzke starnú
 
== Použitie ==
Anonymný používateľ