Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou: Rozdiel medzi revíziami
Smazaný obsah Přidaný obsah
d robot Pridal: ta:மாழை-ஆக்சைடு-குறைக்கடத்தி புலவிளைவுத் திரிதடையம் Zmenil: th:มอสเฟต, [[uk:Транзистор метал-діелектрик |
d robot Zmenil: uk:Транзистор метал-діелектрик-напівпровідник; kozmetické zmeny |
||
Riadok 1:
'''MOSFET''' (z [[angličtina|angl.]] ''metal oxide semiconductor field-effect transistor'') je druh [[tranzistor]]u riadeného poľom (FET), ktorého hradlo realizované vrstvou [[kov]]u je oddelené od [[polovodič]]a [[dielektrikum|dielektrickou vrstvou]] oxidu daného polovodiča.
[[
Keďže na jeho prípravu je potrebná dokonalá a veľmi tenká oxidová vrstva s malým počtom nežiaducich porúch na rozhraní polovodiča a kovu, MOSFET tranzistory sa v praxi pripravujú výhradne z [[kremík]]a, ktorý je jediným polovodičom, na ktorom je možné pripraviť [[oxid kremičitý|oxid]] požadovaných vlastností.
Riadok 43:
[[th:มอสเฟต]]
[[tr:MOSFET]]
[[uk:Транзистор метал-діелектрик-
[[vi:MOSFET]]
[[zh:MOSFET]]
|