Fotorezistor: Rozdiel medzi revíziami

Smazaný obsah Přidaný obsah
d public domain
JAnDbot (diskusia | príspevky)
d robot Manually assisted solving of mixed interwiki; Odobral: he; kozmetické zmeny
Riadok 1:
[[ImageSúbor:Light-dependent resistor schematic symbol.svg|thumb|Schematická značka fotorezistoru]]
 
'''Fotorezistor''' (hovorovo tiež ''fotoodpor'') je ''pasívna'' [[elektronická súčiastka]], druh [[polovodič| polovodičového]] [[fotodetektor|fotodetektora]]a. Jeho [[Elektrický odpor|elektrický odpor]] klesá s rastúcou intenzitou dopadajúceho svetla ([[elektrická vodivosť]] rastie).
 
== Princíp ==
Princíp fotorezistoru je založený na vnútornom [[Fotoelektrický jav|fotoelektrickom jave]]: fotorezistor je vyrobený z [[polovodič|polovodiča]]a s vysokým elektrickým odporom. Ak [[fotón]] svetla dostatočne krátkej [[vlnová dĺžka|vlnovej dĺžky]] narazí do [[elektrón|elektrónu]]u vo [[valenčné pásmo|valenčnom pásme]] atómu, odovzdá mu svoju energiu. Elektrón tak získa dostatok energie na prekonanie [[zakázané pásmo|zakázaného pásma]] a preskočí z valenčného pásma do [[vodivostné pásmo|vodivostného]]. Tým opustí svoj atóm a pohybuje sa ako voľný elektrón v priestore kryštálovej mriežky. Na jeho mieste vznikla tzv. ''diera'' - voľné miesto s kladným [[elektrický náboj|nábojom]]. Takto vzniknuté voľné elektróny a diery vedú [[elektrický prúd]] a znižujú tak elektrický odpor osvetleného fotorezistoru.
 
== Konštrukcia ==
[[ImageSúbor:LDR.jpg|thumb|Fotorezistor bez puzdra]]
 
Na polovodičovú základňu (najčastejšie [[Sulfid kademnatý]] - CdS, [[kremík]], [[germánium]]) sú z protiľahlých strán nanesené vrstvičky kovu v tvare hrabličiek, vodivo spojené s vývodmi fotorezistoru, tvoriace prechod kov - polovodič. Vplyvom osvetlenia sa mení [[Elektrická vodivosť|elektrická vodivosť]] polovodiča medzi kovovými vrstvičkami. Na fotorezistor(napr. J13 Series Lead Sulfide Detectors) zvlášť citlivý v infračervenej oblasti(vlnová dĺžka: 1-3.5µm), s dobrou chemickou stálosťou a rýchlou odozvou na zmenu osvetlenia sa používal sírnik olovnatý(PbS).
 
== Vlastnosti ==
Odpor fotorezistoru klesá v závislosti od intenzity osvetlenia približne [[Exponenciálna funkcia|exponenciálne]], do istej miery je ale možné túto závislosť [[linearizácia|linearizovať]].
 
V závislosti od použitého materiálu je možné fotorezistorom detekovať široké spektrum vlnových dĺžok – od [[Infračervené žiarenie|infračerveného žiarenia]], cez [[svetlo|viditeľné svetlo]] až po [[Ultrafialové žiarenie|ultrafialové žiarenie]].
 
Výhody voči iným fotocitlivým súčiastkam:
Riadok 30:
Fotorezistory majú široké využitie pri meraní a regulácii v závislosti od intenzity osvetlenia, napr. v [[expozimeter|expozimetroch]] kamier a fotoaparátov, súmrakových spínačoch osvetlenia, regulátoroch jasu displejov a pod.
 
Využívajú sa tiež v obvodoch [[spätná väzba|spätnej väzby]] v [[kompresor dynamiky|kompresoroch dynamiky]], kde v kombinácii s malou osvetľovacou [[žiarovka |žiarovkou]] prípadne [[LED]] znižujú zisk [[zosilňovač|zosilňovača]]a v závislosti od intenzity signálu.
 
== Pozri aj ==
* [[Fotoelektrický jav]]
* [[Fotodetektor]]
Riadok 54:
[[fr:Photorésistance]]
[[gl:LDR]]
[[he:תא פוטואלקטרי]]
[[hu:Fotocella]]
[[id:Resistor foto]]