Verzia z 19:46, 9. jún 2010 upraviť Xqbot (diskusia \| príspevky) 118 631 editací d robot Pridal: he:DRAM ← Predchádzajúca úprava		Verzia z 10:45, 10. november 2010 upraviť vrátiť Xqbot (diskusia \| príspevky) 118 631 editací d robot Pridal: ro:Memorie DRAM; kozmetické zmeny Ďalšia úprava →
Riadok 1: '''DRAM''' (Dynamic Random Access Memory) je [[pamäť s priamym prístupom\|RAM]], ktorá uchováva údaje na [[kondenzátor]]e (parazitnej kapacite riadiacej [[elektróda\|elektródy]] (Gate) tranzistora [[MOS (polovodiče)\|MOS]], ktorý súčasne slúži ako čítací prvok pamäťovej bunky) ako elektrický náboj. Náboj sa pomaly vybíja, preto vyžaduje pravidelné obnovovanie (refresh) - čítanie a znovuzapísanie, t.j. znovunabíjanie parazitnej kapacity. Dynamické pamäte majú väčšiu hustotu integrácie na jeden zapamätaný [[bit]] (1 tranzistor oproti 6 u SRAM) a tým menšiu cenu pri vysokých kapacitách, než [[SRAM \| statické pamäte]]. Na rozdiel od SRAM však majú kvôli potrebe obnovovania nezanedbateľnú spotrebu aj keď sa k nim nepristupuje (nezapisuje ani nečíta). Kvôli menšiemu (a tým lacnejšiemu) púzdru je u DRAM typicky multiplexovaná horná a dolná polovica adresnej zbernice, t.j. najprv sa privedie horná časť adresy, špeciálnym signálom sa zapíše do vnútorného registra pamäte, potom sa privedením dolnej časti adresy vyberá alebo zapisuje priamo požadovaná informácia. Riadok 6: {{počítačový výhonok}} [[Kategória:Polovodičové pamäte]] [[Kategória:Integrované obvody]] Řádek 33 ⟶ 34: [[pl:Pamięć dynamiczna (informatyka)]] [[pt:Dynamic random access memory]] [[ro:Memorie DRAM]] [[ru:DRAM]] [[simple:Dynamic random access memory]]

DRAM: Rozdiel medzi revíziami