Fotorezistor: Rozdiel medzi revíziami

'''Fotorezistor''' (hovorovo tiež ''fotoodpor'') je ''pasívna'' [[elektronická súčiastka]], druh [[polovodič|polovodičového]]ového [[fotodetektor]]a. Jeho [[elektrický odpor]] klesá s rastúcou intenzitou dopadajúceho svetla ([[elektrická vodivosť]] rastie).

Princíp fotorezistoru je založený na vnútornom [[Fotoelektrický jav|fotoelektrickom jave]]: fotorezistor je vyrobený z [[polovodič]]a s vysokým elektrickým odporom. Ak [[fotón]] svetla dostatočne krátkej [[vlnová dĺžka|vlnovej dĺžky]] narazí do [[elektrón]]u vo [[valenčné pásmo|valenčnom pásme]] atómu, odovzdá mu svoju energiu. Elektrón tak získa dostatok energie na prekonanie [[zakázané pásmo|zakázaného pásma]] a preskočí z valenčného pásma do [[vodivostné pásmo|vodivostného]]. Tým opustí svoj atóm a pohybuje sa ako voľný elektrón v priestore kryštálovej mriežky. Na jeho mieste vznikla tzv. ''diera'' -  – voľné miesto s kladným [[elektrický náboj|nábojom]]. Takto vzniknuté voľné elektróny a diery vedú [[elektrický prúd]] a znižujú tak elektrický odpor osvetleného fotorezistoru.

Na polovodičovú základňu (najčastejšie [[Sulfid kademnatý]] -  – CdS, [[kremík]], [[germánium]]) sú z protiľahlých strán nanesené vrstvičky kovu v tvare hrabličiek, vodivo spojené s vývodmi fotorezistoru, tvoriace prechod kov -  – polovodič. Vplyvom osvetlenia sa mení [[elektrická vodivosť]] polovodiča medzi kovovými vrstvičkami. Na fotorezistor(napr. J13 Series Lead Sulfide Detectors) zvlášť citlivý v infračervenej oblasti(vlnová dĺžka: 1-3.5 µm), s dobrou chemickou stálosťou a rýchlou odozvou na zmenu osvetlenia sa používal sírnik olovnatý(PbS).

V závislosti od použitého materiálu je možné fotorezistorom detekovaťdetegovať široké spektrum vlnových dĺžok – od [[Infračervené žiarenie|infračerveného žiarenia]], cez [[svetlo|viditeľné svetlo]] až po [[ultrafialové žiarenie]].