Verzia z 00:31, 7. júl 2011 upraviť MerlIwBot (diskusia \| príspevky) 152 414 editací d robot Pridal: hu:EEPROM ← Predchádzajúca úprava		Verzia z 08:57, 12. august 2011 upraviť vrátiť Vegbot (diskusia \| príspevky) Boti 76 502 editací d typo gram, replaced: 10-20 → 10 – 20, - → –, replaced: → Ďalšia úprava →
Riadok 1: '''EEPROM''' (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) je elektricky mazateľná pamäť [[ROM]]. Princíp činnosti je podobný ako u [[EPROM]] - – pamäťovým prvkom je izolované (plávajúce) hradlo do ktorého sú nainjekované nosiče náboja cez izolačnú oxidovú vrstvu, oxid je tu však tenší a prenos náboja je šetrnejší a je možný v oboch smeroch. Napätia potrebné pre tento jav sú väčšinou generované obvodmi integrovanými na čipe s pamäťou a navonok je pamäť programovaná pri bežnom napájacom napätí. Programovanie i mazanie trvá niekoľko milisekúnd, čítacie doby sú podobné ako u EPROM (cca 100ns). EEPROM znesú typicky 1E4 až 1E5 prepisov (mazacích a programovacích cyklov) a doba uchovania údajov býva pri bežných teplotách (t. j. do 80~~ ~~ °C) zaručovaná na 10- – 20 rokov. EEPROM predstavuje najjednoduchšie riešenie permanentnej pamäte [[ROM]] s možnosťou príležitostných zmien. Možno do nej zapisovať činnosťou programu mikropočítača. Zápis vyžaduje čas rádovo milisekundy, kým čítanie rádovo nanosekendy, preto sa nemôže použiť ako pamäte [[RWM]]. Bývajú vyrobené technológiou [[CMOS]].

EEPROM: Rozdiel medzi revíziami