Verzia z 08:57, 29. máj 2017 upraviť Wizzard (diskusia \| príspevky) Správcovia 113 873 editací pomlčka entitou ← Predchádzajúca úprava		Aktuálna revízia z 08:58, 29. máj 2017 upraviť vrátiť Wizzard (diskusia \| príspevky) Správcovia 113 873 editací zoznam
Riadok 19: ==Výhody a nevýhody == ;Výhody FET tranzistorov: •* Vstupný [[odpor]] je 10<sup>10</sup> Ω – 10<sup>15</sup> Ω, vstupná [[kapacita]] 2 pF. •* Z hľadiska výrobnej realizácie si vyžadujú podstatne menší počet výrobných operácií. Zatiaľ čo realizácia bipolárneho obvodu TTL si vyžaduje 140 výrobných operácií, je pre realizáciu podobného obvodu s FET-tranzistormi potrebné len 40 výrobných operácií. ▼ •* Výstupný [[obvod]] je dokonale oddelený od vstupného obvodu. ▼ ▲• Z hľadiska výrobnej realizácie si vyžadujú podstatne menší počet výrobných operácií. Zatiaľ čo realizácia bipolárneho obvodu TTL si vyžaduje 140 výrobných operácií, je pre realizáciu podobného obvodu s FET-tranzistormi potrebné len 40 výrobných operácií. •* FET - tranzistory vykazujú v nízkofrekvenčných i vysokofrekvenčných [[zosilňovač]]och veľmi malý vlastný [[šum]]. ▼ •* FET - tranzistory vykazujú malé nelineárne skreslenie. ▼ ▲• Výstupný [[obvod]] je dokonale oddelený od vstupného obvodu. •* FET - tranzistory vykazujú veľmi dobré spínacie vlastnosti. ▼ •* Výkonové FET - tranzistory stále častejšie nahradzujú bipolárne tranzistory pre obvodovú jednoduchosť a lepšie vlastnosti. ▼ ▲• FET - tranzistory vykazujú v nízkofrekvenčných i vysokofrekvenčných [[zosilňovač]]och veľmi malý vlastný [[šum]]. ▲• FET - tranzistory vykazujú malé nelineárne skreslenie. ▲• FET - tranzistory vykazujú veľmi dobré spínacie vlastnosti. ▲• Výkonové FET - tranzistory stále častejšie nahradzujú bipolárne tranzistory pre obvodovú jednoduchosť a lepšie vlastnosti. ;Nevýhody FET tranzistorov: •* Veľký rozptyl prahového napätia UT až niekoľko [[volt]]ov (u bipolárnych tranzistorov cca 0,1V). •* Riziko poškodenia vstupu u IGFET-ov (MOSFET-ov).▼ •* Klasické FET tranzistory majú nižšiu hornú medznú [[frekvencia\|frekvenciu]] ako bipolárne tranzistory. Tento nedostatok odstraňujú moderné typy FET-ov (napr. HEMT).▼ ▲• Riziko poškodenia vstupu u IGFET-ov (MOSFET-ov). ▲• Klasické FET tranzistory majú nižšiu hornú medznú [[frekvencia\|frekvenciu]] ako bipolárne tranzistory. Tento nedostatok odstraňujú moderné typy FET-ov (napr. HEMT). [[Kategória:Tranzistory]]

Tranzistor riadený poľom: Rozdiel medzi revíziami