Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom
Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom (angl. insulated-gate bipolar transistor, skrátene IGBT) je druh tranzistorov pre veľmi vysoké spínané výkony (rádovo niekoľko desiatok kW) a frekvenciu spínania do 20kHz. Už s názvu vyplýva, že IGBT využíva výhodu jednoduchého riadenia MOSFET a nízky odpor bipolárnych tranzistorov.
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/b5/IGBT_3300V_1200A_Mitsubishi.jpg/220px-IGBT_3300V_1200A_Mitsubishi.jpg)
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/42/IGBT_equivalent_circuit.gif/220px-IGBT_equivalent_circuit.gif)
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/6/6c/IGBT_Cross_Section.jpg/220px-IGBT_Cross_Section.jpg)
Sú potrebné pri zariadeniach ako napr. meniče (DC/AC, AC/AC).
Pred zhruba 10-20 rokmi bolo pomerne ťažké vytvárať krátke vysokovýkonové impulzy rádu desiatok kW, pretože bipolárne tranzistory a hlavne tyristory boli síce výkonné, ale pomalé. Výkonové MOSFET so schopnosťou blokovať vysoké napätia mali zas veľmi veľký odpor v zopnutom stave a tým vznikali veľké výkonové straty, čo významne znižovalo účinnosť výkonových meničov.
Preto sa vytvorili IGBT. Tie ale boli veľmi drahé a tiež nespoľahlivé. Postupne sa však vyvíjali a ich cena v poslednom čase klesla natoľko, že sú už cenovo dostupné dokonca aj pre hobby.
Výhody:
Pozri aj
upraviťIné projekty
upraviť- Commons ponúka multimediálne súbory na tému IGBT