Schottkyho dióda je polovodičová dióda využívajúca existenciu potenciálovej bariéry na priechode kov-polovodič (Schottkyho bariéra) a z toho vyplývajúce usmerňovacie vlastnosti priechodu.[1]

Schematická značka Schottkyho diódy
Typická voltampérová charakteristika kremíkovej Schottkyho diódy (červenou) v porovnaní s Ge, SiGaAs diódami s PN priechodom

Pomenovaná je po nemeckom fyzikovi Walterovi Schottkym (* 1886 – † 1976), ktorý v roku 1938 vypracoval teóriu, popisujúcu usmerňovacie vlastnosti priechodu kov-polovodič.[2]

Vlastnosti

upraviť

Oproti bežným diódam s PN priechodom majú Schottkyho diódy nižší úbytok napätia v priepustnom smere (UF: ~0,3 V oproti ~0,7 V pri Si diódach s PN priechodom), sú však schopné odolávať nižším napätiam v závernom smere (UR: ~10 – 150 V) a majú vyšší záverný prúd (IR), ktorý navyše exponenciálne rastie so stúpajúcou teplotou, čo môže viesť k teplotnej nestabilite a ďalej nepriamo limituje praktickú veľkosť napätia v závernom smere.

Ďalšia charakteristická vlastnosť Schottkyho diód je veľmi krátka doba záverného zotavenia (reverse recovery time, trr v rádoch len ~100 ps pri malých signálových diódach).

Tieto vlastnosti ich predurčujú okrem iného na spínacie aplikácie v rýchlych analógových aj digitálnych obvodoch a usmerňovacie aplikácie vo vysokofrekvenčných obvodoch a spínaných zdrojoch.[3][4][5]

Galéria

upraviť

Referencie

upraviť
  1. Elektronika : Diódy [online]. Žilina: Žilinská univerzita : Fakulta riadenia a informatiky, [cit. 2023-05-16]. Dostupné online.
  2. Walter Schottky. In: Encyclopædia Britannica [online]. Encyclopædia Britannica, 1998-07-20, [cit. 2023-05-15]. Dostupné online.
  3. WALTERS, Kent; WERNER, Bob. Introduction to Schottky Rectifiers [online]. Microsemi, [1997], [cit. 2023-05-16]. Dostupné online.
  4. What is a Schottky Diode? [online]. learningaboutelectronics.com, [cit. 2023-05-16]. Dostupné online.
  5. Schottky Diode: Schottky Barrier Diode [online]. electronics-notes.com, [cit. 2023-05-16]. Dostupné online.

Iné projekty

upraviť